Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP / Конорева О. В., Литовченко П. Г., Радкевич О. І., Попов В. М., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. (2019)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001018738
Ядерна фізика та енергетика    А - 2018 /  Випуск (2019, Т. 20, № 2)
Конорева О. В., Литовченко П. Г., Радкевич О. І., Попов В. М., Тартачник В. П., Шлапацька В. В.
Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP
Бібліографічний опис:
Конорева О. В., Литовченко П. Г., Радкевич О. І., Попов В. М., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP. Ядерна фізика та енергетика. 2019. Т. 20, № 2. С. 164-169. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001018738 |  Nuclear physics and atomic energy / Issue (2019, 20 (2))
Konoreva O. V., Lytovchenko P. H., Radkevych O. I., Popov V. M., Tartachnyk V. P., Shlapatska V. V.
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
Cite:
Konoreva, O. V., Lytovchenko, P. H., Radkevych, O. I., Popov, V. M., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V. (2019). Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures. Nuclear physics and atomic energy, 20 (2), 164-169. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001018738 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF