Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре / Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030972
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2014, Т. 12, № 3)

Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А.
Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре

Бібліографічний опис:
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А. Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре. Фізична інженерія поверхні. 2014. Т. 12, № 3. С. 357-359. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030972

English  Physical surface engineering   /     Issue (2014, 12 (3))

Karimov A. V., Jodgorova D. M., Abdulkhaev O. A.
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures

Cite:
Karimov, A. V., Jodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A. (2014). Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures. Physical surface engineering, 12 (3), 357-359. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030972 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна