Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi­nCdS­n+CdS — структуры и на плотности поверхностных состояний pSi­nCdS — гетероперехода / Сапаев И. Б., Мирсагатов Ш. А. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031061
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2014, Т. 12, № 2)

Сапаев И. Б., Мирсагатов Ш. А.
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi­nCdS­n+CdS — структуры и на плотности поверхностных состояний pSi­nCdS — гетероперехода

Бібліографічний опис:
Сапаев И. Б., Мирсагатов Ш. А. Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi­nCdS­n+CdS — структуры и на плотности поверхностных состояний pSi­nCdS — гетероперехода. Фізична інженерія поверхні. 2014. Т. 12, № 2. С. 197-201. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031061

English  Physical surface engineering   /     Issue (2014, 12 (2))

Sapaev I. B., Mirsagatov Sh. A.
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction

Cite:
Sapaev, I. B., Mirsagatov, Sh. A. (2014). Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction. Physical surface engineering, 12 (2), 197-201. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031061 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна