Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Гулямов Г., Дадамирзаев М. Г. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031646
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2014, Т. 12, № 4)

Гулямов Г., Дадамирзаев М. Г.
Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках

Бібліографічний опис:
Гулямов Г., Дадамирзаев М. Г. Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках. Фізична інженерія поверхні. 2014. Т. 12, № 4. С. 510-514. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031646

English  Physical surface engineering   /     Issue (2014, 12 (4))

Guljamov G., Dadamirzaev M. G.
The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors

Cite:
Guljamov, G., Dadamirzaev, M. G. (2014). The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors. Physical surface engineering, 12 (4), 510-514. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031646 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна