Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; Особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов / Завьялова Л. В., Свечников Г. С., Рощина Н. Н., Снопок Б. А. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074341
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2018, Вып. 53)

Завьялова Л. В., Свечников Г. С., Рощина Н. Н., Снопок Б. А.
Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; Особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов

Бібліографічний опис:
Завьялова Л. В., Свечников Г. С., Рощина Н. Н., Снопок Б. А. Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; Особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 83-123. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074341

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2018, 53)

Zavjalova L. V., Svechnikov G. S., Roshchina N. N., Snopok B. A.
Preparation and characterization of AI-VIIIVVI semiconductor films and the functional structures based on them: features and capabilities of the CVD method using dithiocarbamates

Cite:
Zavjalova, L. V., Svechnikov, G. S., Roshchina, N. N., Snopok, B. A. (2018). Preparation and characterization of AI-VIIIVVI semiconductor films and the functional structures based on them: features and capabilities of the CVD method using dithiocarbamates. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 83-123. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074341 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна