Новий тетрагональний термоелектричний матеріал HfSiSb типу D2/DO, напівгейслерова сполука: метод повного потенціалу лінеаризованих приєднаних плоских хвиль / Йоші Х., Раі Д. П., Делігоз Е., Озісік Х. Б., Тхапа Р. К. (2017)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001095115
Термоелектрика В - 2017 /  Випуск (2017, № 3)
Йоші Х., Раі Д. П., Делігоз Е., Озісік Х. Б., Тхапа Р. К.
Новий тетрагональний термоелектричний матеріал HfSiSb типу D2/DO, напівгейслерова сполука: метод повного потенціалу лінеаризованих приєднаних плоских хвиль
Бібліографічний опис:
Йоші Х., Раі Д. П., Делігоз Е., Озісік Х. Б., Тхапа Р. К. Новий тетрагональний термоелектричний матеріал HfSiSb типу D2/DO, напівгейслерова сполука: метод повного потенціалу лінеаризованих приєднаних плоских хвиль. Термоелектрика. 2017. № 3. С. 23-31. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001095115 |  Journal of Thermoelectricity / Issue (2017, 3)
Yoshi Kh., Rai D. P., Delihoz E., Ozisik Kh. B., Tkhapa R. K.
A new d2/do type tetragonal thermoelectric material Hfsisb, a half-heusler compound: a fp-lapw method
Cite:
Yoshi, Kh., Rai, D. P., Delihoz, E., Ozisik, Kh. B., Tkhapa, R. K. (2017). A new d2/do type tetragonal thermoelectric material Hfsisb, a half-heusler compound: a fp-lapw method. Journal of Thermoelectricity, 3, 23-31. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001095115 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF