інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127992
Ukrainian journal of physics 
А - 2018 /
Випуск (2020, Vol. 65, № 3)
Bilanych B. V., Shylenko O., Latyshev V. M., Feher A., Bilanych V. S., Rizak V. M., Komanicky V.
Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists
Cite:
Bilanych, B. V., Shylenko, O., Latyshev, V. M., Feher, A., Bilanych, V. S., Rizak, V. M., Komanicky, V. (2020). Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists. Ukrainian journal of physics, 65 (3), 247-253. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127992
PDF