Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET / Marki R., Zaabat M. (2020)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151462
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2020, Vol. 23, № 2)

Marki R., Zaabat M.
Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET

Cite:
Marki, R., Zaabat, M. (2020). Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 23 (2), 141-145. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151462

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна