Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле / Винославский М. Н. , Белёвский П. А., Порошин В. Н., Вайнберг В. В., Байдусь Н. В. (2020)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151503
Фізика низьких температур   А - 2019 /  Випуск (2020, Т. 46, Вип. 6)
Винославский М. Н. , Белёвский П. А., Порошин В. Н., Вайнберг В. В., Байдусь Н. В.
Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле
Бібліографічний опис:
Винославский М. Н. , Белёвский П. А., Порошин В. Н., Вайнберг В. В., Байдусь Н. В. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле. Фізика низьких температур. 2020. Т. 46, Вип. 6. С. 755-761. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151503 |  Low Temperature Physics / Issue (2020, 46 (6))
Vinoslavskij M. N. , Beljovskij P. A., Poroshin V. N., Vajnberg V. V., Bajdus N. V.
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
Cite:
Vinoslavskij, M. N. , Beljovskij, P. A., Poroshin, V. N., Vajnberg, V. V., Bajdus, N. V. (2020). The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field. Low Temperature Physics, 46 (6), 755-761. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151503 [In Russian]. | |
|
|
PDF