Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа / Осадчук А. В., Осадчук В. С., Осадчук Я. А. (2019)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001228246
  Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології  Б - 2020  /     Випуск (2019, № 2)

Осадчук А. В., Осадчук В. С., Осадчук Я. А.
Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа

Бібліографічний опис:
Осадчук А. В., Осадчук В. С., Осадчук Я. А. Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа. Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. 2019. № 2. С. 107-112. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001228246

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна