Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe / Ковалюк Т. Т., Солован М. М., Мар'янчук П. Д. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271090
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2021, № 1-2)

Ковалюк Т. Т., Солован М. М., Мар'янчук П. Д.
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe

Бібліографічний опис:
Ковалюк Т. Т., Солован М. М., Мар'янчук П. Д. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2021. № 1-2. С. 33-38. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271090

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2021, 1-2)

Kovaliuk T. T., Solovan M. M., Marianchuk P. D.
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions

Cite:
Kovaliuk, T. T., Solovan, M. M., Marianchuk, P. D. (2021). Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions. Technology and design in electronic equipment, 1-2, 33-38. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271090 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна