Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю / Кукурудзяк М. С., Добровольський Ю. Г. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271094
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2021, № 1-2)

Кукурудзяк М. С., Добровольський Ю. Г.
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю

Бібліографічний опис:
Кукурудзяк М. С., Добровольський Ю. Г. Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2021. № 1-2. С. 61-67. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271094

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2021, 1-2)

Kukurudziak M. S., Dobrovolskyi Yu. H.
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity

Cite:
Kukurudziak, M. S., Dobrovolskyi, Yu. H. (2021). Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity. Technology and design in electronic equipment, 1-2, 61-67. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271094 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна