Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування / Литвиненко В. М., Баганов Є. О., Вікулін І. М., Горбачов В. Е. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001272491
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2021, № 3-4)

Литвиненко В. М., Баганов Є. О., Вікулін І. М., Горбачов В. Е.
Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування

Бібліографічний опис:
Литвиненко В. М., Баганов Є. О., Вікулін І. М., Горбачов В. Е. Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2021. № 3-4. С. 50-56. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001272491

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2021, 3-4)

Lytvynenko V. M., Bahanov Ye. O., Vikulin I. M., Horbachov V. E.
Improving parameters of planar pulse diode using gettering

Cite:
Lytvynenko, V. M., Bahanov, Ye. O., Vikulin, I. M., Horbachov, V. E. (2021). Improving parameters of planar pulse diode using gettering. Technology and design in electronic equipment, 3-4, 50-56. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001272491 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна