Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / Охрименко О. Б. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287274
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2012, Вып. 47)

Охрименко О. Б.
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)

Бібліографічний опис:
Охрименко О. Б.  Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2012. Вып. 47. С. 24-39. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287274

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2012, 47)

Okhrimenko O. B.
Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)

Cite:
Okhrimenko, O. B. (2012). Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review). Optoelectronics and Semiconductor Technique, 47, 24-39. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287274 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна