Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp / Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287279
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2012, Вып. 47)

Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С.
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp

Бібліографічний опис:
Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С. Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2012. Вып. 47. С. 64-69. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287279

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2012, 47)

Krukovskyi S. I., Sukach A. V., Tetorkin V. V., Mrykhin I. O., Mykhashchuk Yu. S.
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions

Cite:
Krukovskyi, S. I., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Mrykhin, I. O., Mykhashchuk, Yu. S. (2012). Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 47, 64-69. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287279 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна