Електричні властивості структур In/p-pbte / Маланич Г. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Павлович І. І. (2012)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287282
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2012, Вып. 47)
Маланич Г. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Павлович І. І.
Електричні властивості структур In/p-pbte
Бібліографічний опис:
Маланич Г. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Павлович І. І. Електричні властивості структур In/p-pbte. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2012. Вып. 47. С. 84-90. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287282 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2012, 47)
Malanych H. P., Sukach A. V., Tetorkin V. V., Voroshchenko A. T., Kravetskyi M. Yu., Pavlovych I. I.
Electrical properties of In/p-pbte structures
Cite:
Malanych, H. P., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Voroshchenko, A. T., Kravetskyi, M. Yu., Pavlovych, I. I. (2012). Electrical properties of In/p-pbte structures. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 47, 84-90. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287282 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF