Трансформація аддимерів >Ge=Ge<, >Ge=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2) / Теребінська М. І., Ткачук О. І., Дацюк А. М., Філоненко О. В., Лобанов В. В. (2021)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001335968
Поверхня Б - 2020 /  Випуск (2021, Вип. 13)
Теребінська М. І., Ткачук О. І., Дацюк А. М., Філоненко О. В., Лобанов В. В.
Трансформація аддимерів >Ge=Ge<, >Ge=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
Бібліографічний опис:
Теребінська М. І., Ткачук О. І., Дацюк А. М., Філоненко О. В., Лобанов В. В. Трансформація аддимерів >Ge=Ge<, >Ge=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2). Поверхня. 2021. Вип. 13. С. 66-74. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001335968 |  Surface / Issue (2021, 13)
Terebinska M. I., Tkachuk O. I., Datsiuk A. M., Filonenko O. V., Lobanov V. V.
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 × 2)
Cite:
Terebinska, M. I., Tkachuk, O. I., Datsiuk, A. M., Filonenko, O. V., Lobanov, V. V. (2021). Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 × 2). Surface, 13, 66-74. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001335968 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF