Значення DX–центрів для акустоіндукованих процесів перебудови дефектів В GaN/AlGaN / Оліх Я. М., Тимочко М. Д., Кладько В. П., Любченко О. І., Бєляєв О. Є., Калюжний В. В. (2021)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342041
Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка Б - 2020 /  Випуск (2021, Вип. 56)
Оліх Я. М., Тимочко М. Д., Кладько В. П., Любченко О. І., Бєляєв О. Є., Калюжний В. В.
Значення DX–центрів для акустоіндукованих процесів перебудови дефектів В GaN/AlGaN
Бібліографічний опис:
Оліх Я. М., Тимочко М. Д., Кладько В. П., Любченко О. І., Бєляєв О. Є., Калюжний В. В. Значення DX–центрів для акустоіндукованих процесів перебудови дефектів В GaN/AlGaN. Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2021. Вип. 56. С. 61-70. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342041 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2021, 56)
Olikh Ya. M., Tymochko M. D., Kladko V. P., Liubchenko O. I., Bieliaiev O. Ye., Kaliuzhnyi V. V.
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
Cite:
Olikh, Ya. M., Tymochko, M. D., Kladko, V. P., Liubchenko, O. I., Bieliaiev, O. Ye., Kaliuzhnyi, V. V. (2021). Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 56, 61-70. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342041 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF