Особливості досліджень перехідних шарів в напівпровідникових гетеросистемах / Шеховцов Л. В., Кирилова С. І. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342046
  Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка  Б - 2020  /     Випуск (2021, Вип. 56)

Шеховцов Л. В., Кирилова С. І.
Особливості досліджень перехідних шарів в напівпровідникових гетеросистемах

Бібліографічний опис:
Шеховцов Л. В., Кирилова С. І. Особливості досліджень перехідних шарів в напівпровідникових гетеросистемах. Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2021. Вип. 56. С. 108-114. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342046

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2021, 56)

Shekhovtsov L. V., Kyrylova S. I.
Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems

Cite:
Shekhovtsov, L. V., Kyrylova, S. I. (2021). Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 56, 108-114. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342046 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна