Фотоелектричний метод діагностики перехідних шарів напівпровідникових гетеросистем / Шеховцов Л. В. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342049
  Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка  Б - 2020  /     Випуск (2021, Вип. 56)

Шеховцов Л. В.
Фотоелектричний метод діагностики перехідних шарів напівпровідникових гетеросистем

Бібліографічний опис:
Шеховцов Л. В.  Фотоелектричний метод діагностики перехідних шарів напівпровідникових гетеросистем. Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2021. Вип. 56. С. 129-133. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342049

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2021, 56)

Shekhovtsov L. V.
Diagnosis of semiconductor heterosystems using the photovoltaic method

Cite:
Shekhovtsov, L. V. (2021). Diagnosis of semiconductor heterosystems using the photovoltaic method. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 56, 129-133. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342049 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна