Вплив опромінення електронами з Е = 2 МеВ на електрофізичні та оптичні характеристики зелених InGaN/GaN світлодіодів / Мосюк Т. І., Вернидуб Р. М., Литовченко П. Г., Мирошніченко Ю. Б., Стратілат Д. П., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. (2023)
Ukrainian

English  Nuclear physics and atomic energy   /     Issue (2023, 24 (1))

Mosiuk T. I., Vernydub R. M., Lytovchenko P. H., Myroshnichenko Yu. B., Stratilat D. P., Tartachnyk V. P., Shlapatska V. V.
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs


Cite:
Mosiuk, T. I., Vernydub, R. M., Lytovchenko, P. H., Myroshnichenko, Yu. B., Stratilat, D. P., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V. (2023). Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs. Nuclear physics and atomic energy, 24 (1), 27-33. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001397230 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна