Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap / Dovranov K. T., Normuradov M. T., Davranov Kh. T., Bekpulatov I. R. (2024)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001470100
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2024, Т. 69, № 1)

Dovranov K. T., Normuradov M. T., Davranov Kh. T., Bekpulatov I. R.
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap

Бібліографічний опис:
Dovranov K. T., Normuradov M. T., Davranov Kh. T., Bekpulatov I. R. Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap. Український фізичний журнал. 2024. Т. 69, № 1. С. 20-25. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001470100

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна