Негативний диференціальний опір і спектральні характеристики вихідних та опромінених електронами (з Е = 2 МеВ) світлодіодів GaAs1-xPx / МосюкТ. І., Вернидуб Р. М., Литовченко П. Г., Пінковська М. Б., Стратілат Д. П., Тартачник В. П. (2024)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001494050
  Ядерна фізика та енергетика       А - 2018  /     Випуск (2024, Т. 25, № 2)

МосюкТ. І., Вернидуб Р. М., Литовченко П. Г., Пінковська М. Б., Стратілат Д. П., Тартачник В. П.
Негативний диференціальний опір і спектральні характеристики вихідних та опромінених електронами (з Е = 2 МеВ) світлодіодів GaAs1-xPx

Бібліографічний опис:
МосюкТ. І., Вернидуб Р. М., Литовченко П. Г., Пінковська М. Б., Стратілат Д. П., Тартачник В. П. Негативний диференціальний опір і спектральні характеристики вихідних та опромінених електронами (з Е = 2 МеВ) світлодіодів GaAs1-xPx. Ядерна фізика та енергетика. 2024. Т. 25, № 2. С. 125-133. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001494050

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна