Планарний n⁺–n–n⁺ GaAs-діод з варізонною активною бічною границею на основі GaInAs / Зозуля В. О., Боцула О. В., Приходько К. Г. (2024)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001531683
  Радіофізика і радіоастрономія     Б - 2020  /     Випуск (2024, Т. 29, № 4)

Зозуля В. О., Боцула О. В., Приходько К. Г.
Планарний n⁺–n–n⁺ GaAs-діод з варізонною активною бічною границею на основі GaInAs

Бібліографічний опис:
Зозуля В. О., Боцула О. В., Приходько К. Г. Планарний n⁺–n–n⁺ GaAs-діод з варізонною активною бічною границею на основі GaInAs. Радіофізика і радіоастрономія. 2024. Т. 29, № 4. С. 317-326. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001531683

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна