Фізика низьких температур. 2015, 41 (2) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізика низьких температур
2015. Вип. 2 |
- Титул.
- Содержание.
- Вступление. - C. 107-108.
- Козлов Д. А., Квон З. Д., Савченко М. Л., Weiss D., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А. Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe. - C. 109-118.
- Петров П. В., Иванов Ю. Л., Аверкиев Н. С. Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. - C. 119-128.
- Вальков В. В., Аксенов С. В., Уланов Е. А. Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле. - C. 129-138.
- Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Клепикова А. С., Неверов В. Н., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Якунин М. В. Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки. - C. 139-146.
- Парфеньев Р. В., Козуб В. И., Андрианов Г. О., Шамшур Д. В., Черняев А. В., Михайлин Н. Ю., Немов С. А. Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn1–zTe, легированных In. - C. 147-152.
- Кульбачинский В. А., Кытин В. Г., Реукова О. В., Бурова Л. И., Кауль А. Р., Ульяшин А. Г. Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия. - C. 153-164.
- Charikova T. B., Shelushinina N. G., Harus G. I., Neverov V. N., Petukhov D. S., Petukhova O. E., Ivanov A. A. Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary. - C. 165-168.
- Лашкарев Г. В., Штеплюк И. И., Евтушенко А. И., Хижун О. Ю., Картузов В. В., Овсянникова Л. И., Карпина В. А., Миронюк Д. В., Хомяк В. В., Ткач В. Н. Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка. - C. 169-184.
- Скипетров Е. П., Кнотько А. В., Слынько Е. И., Слынько В. Е. Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов. - C. 185-195.
- Лончаков А. Т., Марченков В. В., Окулов В. И., Окулова К. А., Говоркова Т. Е., Подгорных С. М. Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава. - C. 196-201.
- Говоркова Т. Е., Лончаков А. Т., Окулов В. И., Андрийчук М. Д., Губкин А. Ф., Паранчич Л. Д. Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути. - C. 202-206.
- Charikova T., Okulov V., Gubkin A., Lugovikh A., Moiseev K., Nevedomsky V., Kudriavtsev Yu., Gallardo S., Lopez M. Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese. - C. 207-209.
|
|
