Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / Петров П. В., Иванов Ю. Л., Аверкиев Н. С. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477072
  Физика низких температур      А - 2019  /     Випуск (2015, Т. 41, № 2)

Петров П. В., Иванов Ю. Л., Аверкиев Н. С.
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Бібліографічний опис:
Петров П. В., Иванов Ю. Л., Аверкиев Н. С. Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Физика низких температур. 2015. Т. 41, № 2. С. 119-128. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477072

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2015, 41 (2))

Petrov P. V., Ivanov Ju. L., Averkiev N. S.
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells

Cite:
Petrov, P. V., Ivanov, Ju. L., Averkiev, N. S. (2015). Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells. Low Temperature Physics, 41 (2), 119-128. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477072 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна