Фізика низьких температур. 2016, 42 (5) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Фізика низьких температур
2016. Вип. 5 |
- Титул.
- Содержание.
- Вступление. - C. 415-416.
- Kavokin A., Liew T. C. H., Schneider Ch., Höfling S. Bosonic lasers: The state of the art. - C. 417-425.
- Moskalenko S. A., Tiginyanu I. M. Exciton–polariton laser. - C. 426-437.
- Горбунов А. В., Тимофеев В. Б. Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре. - C. 438-446.
- Rumyantsev V. V., Fedorov S. A., Gumennyk K. V. Polaritons in a nonideal array of ultracold quantum dots. - C. 447-454.
- Maradudin A. A., Simonsen I. Rayleigh and Wood anomalies in the diffraction of acoustic waves from the periodically corrugated surface of an elastic medium. - C. 455-462.
- Tolpygo S. K. Superconductor digital electronics: scalability and energy efficiency issues. - C. 463-485.
- Прихна Т. А., Шаповалов А. П., Гречнев Г. Е., Бутько В. Г., Гусев А. А., Козырев А. В., Белоголовский М. А., Мощиль В. Е., Свердун В. Б. Формирование наноструктуры материалов на основе диборида магния с высокими значениями сверхпроводящих характеристик. - C. 486-505.
- Tokatly I. V., Sherman E. Ya. Spin dephasing in pseudomagnetic fields: susceptibility and geometry. - C. 506-512.
- Еременко В. В., Сиренко А. Ф., Сиренко В. А., Долбин А. В., Господарев И. А., Сыркин Е. С., Феодосьев С. Б., Бондарь И. С., Минакова К. А. Роль акустических фононов в отрицательном тепловом расширении слоистых структур и нанотрубок на их основе. - C. 513-525.
- Троицкая Е. П., Горбенко Е. Е., Пилипенко Е. А. Многочастичное взаимодействие и деформация электронных оболочек атомов в динамике решетки сжатых атомарных криокристаллов. - C. 526-537.
- Бутько В. Г., Гусев А. А., Шевцова Т. Н., Пашкевич Ю. Г. Инкапсулирование углеродных нанотрубок типа "кресло" цепочкой атомов Fe "зигзаг". - C. 538-543.
- Шатерник В. Е., Шаповалов А. П., Суворов А. В., Скорик Н. А., Белоголовский М. А. Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах. - C. 544-547.
|
|
