Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / Zainabidinov S., Mamatkarimov O. O., Khimmatkulov O., Tursunov I. G. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812102
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2017, Т. 62, № 11)

Zainabidinov S., Mamatkarimov O. O., Khimmatkulov O., Tursunov I. G.
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon

Cite:
Zainabidinov, S., Mamatkarimov, O. O., Khimmatkulov, O., Tursunov, I. G. (2017). Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon. Ukrainian Journal of Physics, 62 (11), 951-954. https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812102

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна