S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions / Tetyorkin V. V., Sukach A. V., Tkachuk A. I., Trotsenko S. P. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941358
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 4)

Tetyorkin V. V., Sukach A. V., Tkachuk A. I., Trotsenko S. P.
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions

Cite:
Tetyorkin, V. V., Sukach, A. V., Tkachuk, A. I., Trotsenko, S. P. (2018). S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (4), 374-379. https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941358

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна