Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / Стороженко И. П., Ярошенко А. Н., Аркуша Ю. В. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192345
  Radiophysics and Electronics   Б - 2020  /     Issue (2014, Т. 5(19), № 2)

Стороженко И. П., Ярошенко А. Н., Аркуша Ю. В.
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN

Бібліографічний опис:
Стороженко И. П., Ярошенко А. Н., Аркуша Ю. В. Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN. Радиофизика и электроника. 2014. Т. 5(19), № 2. С. 77-81. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192345

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2014, 5(19) (2))

translit Transliteration

Storozhenko I. P., Jaroshenko A. N., Arkusha Ju. V.
Diody Ganna na osnove varizonnykh InBN i GaBN

Cite:
Storozhenko, I. P., Jaroshenko, A. N., Arkusha, Ju. V. (2014). Diody Ganna na osnove varizonnykh InBN i GaBN. Radiophysics and Electronics, 5(19) (2), 77-81 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192345 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209