Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes / Konoreva, O. V., Lytovchenko, P. H., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V. (2013)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703
Nuclear physics and atomic energy    А - 2018 /  Issue (2013, Т. 14, № 2)
Конорева О. В., Литовченко П. Г., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В.
Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів
Бібліографічний опис:
Конорева О. В., Литовченко П. Г., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів. Ядерна фізика та енергетика. 2013. Т. 14, № 2. С. 158-162. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703 |  Nuclear physics and atomic energy / Issue (2013, 14 (2))
Konoreva O. V., Lytovchenko P. H., Malyi Ye. V., Petrenko I. V., Pinkovska M. B., Tartachnyk V. P., Shlapatska V. V.
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
Cite:
Konoreva, O. V., Lytovchenko, P. H., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V. (2013). Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes. Nuclear physics and atomic energy, 14 (2), 158-162. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF