Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів / Конорева О. В., Литовченко П. Г., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703
Ядерна фізика та енергетика    А - 2018 /  Випуск (2013, Т. 14, № 2)
Конорева О. В., Литовченко П. Г., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В.
Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів
Бібліографічний опис:
Конорева О. В., Литовченко П. Г., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів. Ядерна фізика та енергетика. 2013. Т. 14, № 2. С. 158-162. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703 |  Nuclear physics and atomic energy / Issue (2013, 14 (2))
Konoreva O. V., Lytovchenko P. H., Malyi Ye. V., Petrenko I. V., Pinkovska M. B., Tartachnyk V. P., Shlapatska V. V.
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
Cite:
Konoreva, O. V., Lytovchenko, P. H., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V. (2013). Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes. Nuclear physics and atomic energy, 14 (2), 158-162. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF