Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review) / Sachenko, A. V., Beljaev, A. E., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Sheremet, V. N. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2013, Вып. 48)

Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Шеремет В. Н.
Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)

Бібліографічний опис:
Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Шеремет В. Н. Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2013. Вып. 48. С. 5-29. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2013, 48)

Sachenko A. V., Beljaev A. E., Boltovets N. S., Konakova R. V., Sheremet V. N.
Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)

Cite:
Sachenko, A. V., Beljaev, A. E., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Sheremet, V. N. (2013). Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review). Optoelectronics and Semiconductor Technique, 48, 5-29. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209