Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) / Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Шеремет В. Н. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2013, Вып. 48)

Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Шеремет В. Н.
Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)

Бібліографічний опис:
Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Шеремет В. Н. Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2013. Вып. 48. С. 5-29. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2013, 48)

Sachenko A. V., Beljaev A. E., Boltovets N. S., Konakova R. V., Sheremet V. N.
Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)

Cite:
Sachenko, A. V., Beljaev, A. E., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Sheremet, V. N. (2013). Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review). Optoelectronics and Semiconductor Technique, 48, 5-29. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна