Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals / Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2014, Вып. 49)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2014. Вып. 49. С. 42-47. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2014, 49)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2014). Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 49, 42-47. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209