Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon / Karas, N. I. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2014, Вып. 49)

Карась Н. И.
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эф-фект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

Бібліографічний опис:
Карась Н. И.  Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эф-фект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2014. Вып. 49. С. 88-92. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2014, 49)

Karas N. I.
Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon

Cite:
Karas, N. I. (2014). Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 49, 88-92. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209