Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эф-фект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии / Карась Н. И. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2014, Вып. 49)

Карась Н. И.
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эф-фект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

Бібліографічний опис:
Карась Н. И.  Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эф-фект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2014. Вып. 49. С. 88-92. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2014, 49)

Karas N. I.
Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon

Cite:
Karas, N. I. (2014). Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 49, 88-92. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна