Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers / Karimov, A. V., Jodgorova, D. M., Gijasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F. (2013)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955
Technology and design in electronic equipment  Б - 2020 /  Issue (2013, № 1)
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Мирджалилова М. А., Асанова Г. О., Абдулхаев О. А., Мухутдинов Ж. Ф.
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
Бібліографічний опис:
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Мирджалилова М. А., Асанова Г. О., Абдулхаев О. А., Мухутдинов Ж. Ф. Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 1. С. 9-12. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955 |  Technology and design in electronic equipment / Issue (2013, 1)
Karimov A. V., Jodgorova D. M., Gijasova F. A., Mirdzhalilova M. A., Asanova G. O., Abdulkhaev O. A., Mukhutdinov Zh. F.
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
Cite:
Karimov, A. V., Jodgorova, D. M., Gijasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F. (2013). Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers. Technology and design in electronic equipment, 1, 9-12. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955 [In Russian]. | |
|
|
PDF