Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Мирджалилова М. А., Асанова Г. О., Абдулхаев О. А., Мухутдинов Ж. Ф. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955
Технология и конструирование в электронной аппаратуре  Б - 2020 /  Випуск (2013, № 1)
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Мирджалилова М. А., Асанова Г. О., Абдулхаев О. А., Мухутдинов Ж. Ф.
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
Бібліографічний опис:
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Мирджалилова М. А., Асанова Г. О., Абдулхаев О. А., Мухутдинов Ж. Ф. Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 1. С. 9-12. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955 |  Technology and design in electronic equipment / Issue (2013, 1)
Karimov A. V., Jodgorova D. M., Gijasova F. A., Mirdzhalilova M. A., Asanova G. O., Abdulkhaev O. A., Mukhutdinov Zh. F.
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
Cite:
Karimov, A. V., Jodgorova, D. M., Gijasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F. (2013). Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers. Technology and design in electronic equipment, 1, 9-12. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955 [In Russian]. | |
|
|
PDF