Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese / Marjanchuk, P. D., Dymko, L. N., Romanishin, T. R., Kovaljuk, T. T., Brus, V. V., Solovan, M. N., Mostovoj, A. I. (2014)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405259
Technology and design in electronic equipment  Б - 2020 /  Issue (2014, № 2-3)
Марьянчук П. Д., Дымко Л. Н., Романишин Т. Р., Ковалюк Т. Т., Брус В. В., Солован М. Н., Мостовой А. И.
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
Бібліографічний опис:
Марьянчук П. Д., Дымко Л. Н., Романишин Т. Р., Ковалюк Т. Т., Брус В. В., Солован М. Н., Мостовой А. И. Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 2-3. С. 54-60. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405259 |  Technology and design in electronic equipment / Issue (2014, 2-3)
Marjanchuk P. D., Dymko L. N., Romanishin T. R., Kovaljuk T. T., Brus V. V., Solovan M. N., Mostovoj A. I.
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
Cite:
Marjanchuk, P. D., Dymko, L. N., Romanishin, T. R., Kovaljuk, T. T., Brus, V. V., Solovan, M. N., Mostovoj, A. I. (2014). Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese. Technology and design in electronic equipment, 2-3, 54-60. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405259 [In Russian]. | |
|
|
PDF