Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014 (2-3) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Технология и конструирование в электронной аппаратуре
2014. Вип. 2-3 |
- Титул, содержание.
- Ермоленко Е. А. Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов. - C. 3-11.
- Оборский Г. А., Савельева О. С., Шихирева Ю. В. Экспресс-метод оценки изменений температуры элементов РЭА. - C. 12-17.
- Рассохина Ю. В., Крыжановский В. Г., Коваленко В. А., Colantonio P., Giofre R. Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник. - C. 18-23.
- Лаврич Ю. Н., Плаксин С. В., Крысь В. Я., Погорелая Л. М., Соколовский И. И. Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур. - C. 24-27.
- Политанский Р. Л., Шпатарь П. М., Гресь A. B., Верига А. Д. Система передачи данных с шифрованием хаотическими последовательностями. - C. 28-32.
- Сидорец В. Н., Бушма А. И., Жерносеков А. М. Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока. - C. 33-36.
- Гершуни А. Н., Нищик А. П. Коаксиальная тепловая труба для охлаждения отражателя лазера. - C. 37-41.
- Наумова А. Н., Кравец В. Ю., Николаенко Ю. Е. Физическое представление и расчет начала кипения в пульсационной тепловой трубе. - C. 42-47.
- Ланин В. Л., Петухов И. Б. Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах. - C. 48-53.
- Марьянчук П. Д., Дымко Л. Н., Романишин Т. Р., Ковалюк Т. Т., Брус В. В., Солован М. Н., Мостовой А. И. Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем. - C. 54-60.
- Вакив Н. М., Круковский С. И., Ларкин С. Ю., Авксентьев А. Ю., Круковский Р. С. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. - C. 61-66.
|
|
