Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys / Pashaev, I. G. (2012)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481
  Progress in Physics of Metals        А - 2019  /     Issue (2012, Т. 13, № 4)

Пашаев И. Г.
Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов

Бібліографічний опис:
Пашаев И. Г.  Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов. Успехи физики металлов. 2012. Т. 13, № 4. С. 397-416. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481

English  Progress in Physics of Metals    /     Issue (2012, 13 (4))

Pashaev I. G.
Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys

Cite:
Pashaev, I. G. (2012). Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys. Progress in Physics of Metals , 13 (4), 397-416. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209