Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon / Pliushchai, I. V., Pliushchai, O. I., Makara, V. A. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000478693
  Metallophysics and advanced technologies     А - 2019  /     Issue (2014, Т. 36, № 5)

Плющай І. В., Плющай О. І., Макара В. А.
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії

Бібліографічний опис:
Плющай І. В., Плющай О. І., Макара В. А. Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії. Металлофизика и новейшие технологии. 2014. Т. 36, № 5. С. 589-596. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000478693

English  Metallophysics and advanced technologies   /     Issue (2014, 36 (5))

Pliushchai I. V., Pliushchai O. I., Makara V. A.
Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon

Cite:
Pliushchai, I. V., Pliushchai, O. I., Makara, V. A. (2014). Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon. Metallophysics and advanced technologies, 36 (5), 589-596. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000478693 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209