Exciton states in semiconductor nanosystems / Pokutnij, S. I., Gorbik, P. P., Makhno, S. N., Prokopenko, S. L. (2016)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000601855
Chemistry, physics and technology of surface  А - 2022 /  Issue (2016, Т. 7, № 3)
Покутний С. И., Горбик П. П., Махно С. Н., Прокопенко С. Л.
Экситонные состояния в полупроводниковых наносистемах
Бібліографічний опис:
Покутний С. И., Горбик П. П., Махно С. Н., Прокопенко С. Л. Экситонные состояния в полупроводниковых наносистемах. Хімія, фізика та технологія поверхні. 2016. Т. 7, № 3. С. 285-294. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000601855 |  Chemistry, physics and technology of surface / Issue (2016, 7 (3))
Pokutnij S. I., Gorbik P. P., Makhno S. N., Prokopenko S. L.
Exciton states in semiconductor nanosystems
Cite:
Pokutnij, S. I., Gorbik, P. P., Makhno, S. N., Prokopenko, S. L. (2016). Exciton states in semiconductor nanosystems. Chemistry, physics and technology of surface, 7 (3), 285-294. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000601855 [In Russian]. | |
|
|
PDF