Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts / Kozynets, O. V., Lytvynenko, S. V. (2012)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725344
  Ukrainian Journal of Physics      А - 2018  /     Issue (2012, Т. 57, № 12)

Козинець О. В., Литвиненко С. В.
Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні

Бібліографічний опис:
Козинець О. В., Литвиненко С. В. Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні. Український фізичний журнал. 2012. Т. 57, № 12. С. 1235-1239. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725344

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2012, 57 (12))

Kozynets O. V., Lytvynenko S. V.
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

Cite:
Kozynets, O. V., Lytvynenko, S. V. (2012). Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts. Ukrainian Journal of Physics, 57 (12), 1235-1239. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725344 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209