Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique / Nadzhafov, B. A., Dadashova, V. V. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726903
  Ukrainian Journal of Physics      А - 2018  /     Issue (2014, Т. 59, № 10)

Наджафов Б. А., Дадашова В. В.
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0–1), полученных плазмохимическим осаждением

Бібліографічний опис:
Наджафов Б. А., Дадашова В. В. Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0–1), полученных плазмохимическим осаждением. Український фізичний журнал. 2014. Т. 59, № 10. С. 959-966. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726903

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2014, 59 (10))

Nadzhafov B. A., Dadashova V. V.
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique

Cite:
Nadzhafov, B. A., Dadashova, V. V. (2014). Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique. Ukrainian Journal of Physics, 59 (10), 959-966. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726903 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209