Large deviation principle for one-dimensional SDEs with discontinuous coefficients / Sobolieva, D. D. (2012)
UkrainianEnglish

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000728796
  Theory of Stochastic Processes     А - 2018  /     Issue (2012, Vol. 18, № 2)

Sobolieva D. D.
Large deviation principle for one-dimensional SDEs with discontinuous coefficients

Cite:
Sobolieva, D. D. (2012). Large deviation principle for one-dimensional SDEs with discontinuous coefficients. Theory of Stochastic Processes , 18 (2), 102-108. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000728796

Анализ цитирования журнала "Сверхтвердые материалы" на основе данных нанометрических баз в целях повышения его импакт-фактора / Колодницкий В. Н. (2012)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730751
  Tooling materials science  Б - 2020  /     Issue (2012, Вып. 15)

Колодницкий В. Н.
Анализ цитирования журнала "Сверхтвердые материалы" на основе данных нанометрических баз в целях повышения его импакт-фактора

Бібліографічний опис:
Колодницкий В. Н.  Анализ цитирования журнала "Сверхтвердые материалы" на основе данных нанометрических баз в целях повышения его импакт-фактора. Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент - техника и технология его изготовления и применения. 2012. Вып. 15. С. 435-440. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730751

English  Tooling materials science   /     Issue (2012, 15)

translit Transliteration

Kolodnitskij V. N.
Analiz tsitirovanija zhurnala "Sverkhtverdye materialy" na osnove dannykh nanometricheskikh baz v tseljakh povyshenija ego impakt-faktora

Cite:
Kolodnitskij, V. N. (2012). Analiz tsitirovanija zhurnala "Sverkhtverdye materialy" na osnove dannykh nanometricheskikh baz v tseljakh povyshenija ego impakt-faktora. Tooling materials science, 15, 435-440 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730751 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209