Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals / Haidar, H. P., Baranskyi, P. I. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816047
  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    Б - 2019  /     Issue (2016, № 7)

Гайдар Г. П., Баранський П. І.
Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П., Баранський П. І. Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю. Доповіді Національної академії наук України. 2016. № 7. С. 62-69. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816047

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2016, 7)

Haidar H. P., Baranskyi P. I.
Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals

Cite:
Haidar, H. P., Baranskyi, P. I. (2016). Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 7, 62-69. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816047 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209