Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings / Haidar, H. P. (2018)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000898783
  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    Б - 2019  /     Issue (2018, № 6)

Гайдар Г. П.
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge під впливом термовідпалів

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П.  Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge під впливом термовідпалів. Доповіді Національної академії наук України. 2018. № 6. С. 58-66. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000898783

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2018, 6)

Haidar H. P.
Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge under the effect of thermal annealings

Cite:
Haidar, H. P. (2018). Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge under the effect of thermal annealings. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 6, 58-66. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000898783 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209