The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states / Guljamov, G., Sharibaev, N. Ju. (2012)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906922
  Physical surface engineering   /     Issue (2012, Т. 10, № 2)

Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю.
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Бібліографічний опис:
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 2. С. 221-225. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906922

English  Physical surface engineering   /     Issue (2012, 10 (2))

Guljamov G., Sharibaev N. Ju.
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states

Cite:
Guljamov, G., Sharibaev, N. Ju. (2012). The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states. Physical surface engineering, 10 (2), 221-225. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906922 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209